广东芯片电容:单层芯片电容的制备方法

2021-03-31 614

  一、基片外观检查和吸水率检测

  检查介质陶瓷基片是否表面色泽均匀、平整、无裂缝、毛刺等;一同,介质陶瓷基片的吸水率应当处于为0.08%~0.35% 的范围内。

  二、清洗陶瓷基片

  将用于基片清洗的洗片盒子用去离子水洗净;将陶瓷基片放入洗片盒子中,用无水酒精进行清洗。超声波电压调为150±50V,清洗时间为20±2min,之后用棉签悄悄擦洗陶瓷基片;再放入超声波清洗机中进行用清洗剂(浓度为5%)清洗,超声波输出电压调150±50V,清洗时间为20±2min,有需要浸没全部基片;然后,用去离子水清洗20±2min,在加热至100±3℃的水浴炉中清洗。清洗结束后,将基片取出。

  三、烧结

  将全部基片放入高温炉中烧结,烧结温度为600±100℃,保温时间为60±30min。

  四、真空溅射

  设置溅射参数,对溅射机进行腔体加热,对溅射机进行腔体加热的温度为150℃~400℃。基片选用自转和公转方法,前进膜厚致性,选用直流溅射的方法进行溅射,一同选用在线监测体系,实时监测溅射膜厚。先溅射过渡层钛钨合金靶材,再溅射Au靶材,然后溅射Ni靶材。其间,溅射过渡层钛钨合金靶材的真空度为9.0*10-3~1.0*10-5Pa,溅射功率为200W~600W,溅射时间为100s~600s;溅射Au靶材的真空度为9.0*10-3~1.0*10-5Pa,溅射功率为200W~600W,溅射时间为800s~1200s;溅射Ni靶材的真空度为9.0*10-3~1.0*10-5Pa,溅射功率为200W~600W,溅射时间为2800s~3800s。真空溅射完结后,关掉加热设备,待炉温冷却至少8h后,将基片取出。

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  五、热处理

  将溅射完结的基片进行真空热处理,真空度高于10-2pa,真空热处理温度为200℃~700℃,热处理时间为20~72h。

  六、切开

  将平整的陶瓷基片粘接在蓝膜上,设置主轴的转速和切开速度进行切开。其间,主轴转速设置为26000~34000转/分,切开速度设置为0.3~0.8mm/s;切开时先进行小样切开,依据小样产品电性能进行切开标准参数调整,前进产品的命中率。切开后除去边角料;用酒精脱水,选用70℃~150℃的温度,烘干时间设置为30min。

  七、分选

  对单层芯片电容进行外观、电容量和损耗分选,除去不合格品。

  八、对芯片电容进行100%温度冲击和电压处理选择。

  九、包装

  将产品装入华夫托盘后进行入盒包装。

  这款单层芯片电容及其制备方法,在传统制造方法的基础上增加了基片吸水率的测验,在基片清洗工序后增加了基片烧结工序进一步除去杂质,有用选择了基片质量和前进了真空溅射工序电极附着力。一同,在真空溅射关键工序中增加了在线测验体系,有用操控了各种资料溅射层厚度,避免了设备参数动摇带来影响,前进了产品的一致性和可靠性。在陶瓷金属化过程中,选用全溅射方法,减少了电镀工序带来的影响。

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