一、基片外观检查和吸水率检测

　　检查介质陶瓷基片是否表面色泽均匀、平整、无裂缝、毛刺等；一同，介质陶瓷基片的吸水率应当处于为0.08％~0.35％ 的范围内。

　　二、清洗陶瓷基片

　　将用于基片清洗的洗片盒子用去离子水洗净；将陶瓷基片放入洗片盒子中，用无水酒精进行清洗。超声波电压调为150±50V，清洗时间为20±2min，之后用棉签悄悄擦洗陶瓷基片；再放入超声波清洗机中进行用清洗剂（浓度为5％）清洗，超声波输出电压调150±50V，清洗时间为20±2min，有需要浸没全部基片；然后，用去离子水清洗20±2min，在加热至100±3℃的水浴炉中清洗。清洗结束后，将基片取出。

　　三、烧结

　　将全部基片放入高温炉中烧结，烧结温度为600±100℃，保温时间为60±30min。

　　四、真空溅射

　　设置溅射参数，对溅射机进行腔体加热，对溅射机进行腔体加热的温度为150℃~400℃。基片选用自转和公转方法，前进膜厚致性，选用直流溅射的方法进行溅射，一同选用在线监测体系，实时监测溅射膜厚。先溅射过渡层钛钨合金靶材，再溅射Au靶材，然后溅射Ni靶材。其间，溅射过渡层钛钨合金靶材的真空度为9.0*10-3~1.0*10-5Pa，溅射功率为200W~600W，溅射时间为100s~600s；溅射Au靶材的真空度为9.0*10-3~1.0*10-5Pa，溅射功率为200W~600W，溅射时间为800s~1200s；溅射Ni靶材的真空度为9.0*10-3~1.0*10-5Pa，溅射功率为200W~600W，溅射时间为2800s~3800s。真空溅射完结后，关掉加热设备，待炉温冷却至少8h后，将基片取出。

　　五、热处理

　　将溅射完结的基片进行真空热处理，真空度高于10-2pa，真空热处理温度为200℃~700℃，热处理时间为20~72h。

　　六、切开

　　将平整的陶瓷基片粘接在蓝膜上，设置主轴的转速和切开速度进行切开。其间，主轴转速设置为26000~34000转/分，切开速度设置为0.3~0.8mm/s；切开时先进行小样切开，依据小样产品电性能进行切开标准参数调整，前进产品的命中率。切开后除去边角料；用酒精脱水，选用70℃~150℃的温度，烘干时间设置为30min。

　　七、分选

　　对单层芯片电容进行外观、电容量和损耗分选，除去不合格品。

　　八、对芯片电容进行100％温度冲击和电压处理选择。

　　九、包装

　　将产品装入华夫托盘后进行入盒包装。

　　这款单层芯片电容及其制备方法，在传统制造方法的基础上增加了基片吸水率的测验，在基片清洗工序后增加了基片烧结工序进一步除去杂质，有用选择了基片质量和前进了真空溅射工序电极附着力。一同，在真空溅射关键工序中增加了在线测验体系，有用操控了各种资料溅射层厚度，避免了设备参数动摇带来影响，前进了产品的一致性和可靠性。在陶瓷金属化过程中，选用全溅射方法，减少了电镀工序带来的影响。

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